PM75CSD060-MITSUBISHI

MÓDULO DE POTENCIA INTELIGENTE

TIPO DE BASE PLANA - PAQUETE AISLADO

CARACTERÍSTICA a) Adoptar un nuevo chip IGBT planar de cuarta generación, cuyo rendimiento se mejora mediante un proceso de regla fina de 1 m. Por ejemplo, típico VCE(sat)=1.7V b) Usar un nuevo diodo que está diseñado para obtener características de recuperación inversa suaves. c) Mantener la compatibilidad del paquete. El diseño/posición de la clavija del terminal y del orificio de montaje es el mismo que el del IPM de tercera generación de la serie S. �3�� 75A, 600V IGBT de detección de corriente para conmutación de 15kHz � Controlador de compuerta monolítica y lógica de protección � Circuitos de detección, protección e indicación de estado para sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura y bajo voltaje ( P-Fo disponible en dispositivos de la parte superior de la pierna) ��� Aplicación de inversor de clase de 5,5/7,5 kW sin ruido acústico ��� Tarjeta amarilla reconocida por UL n.° E80276(N) Archivo n.° E80271