PM150RSD060-MITSUBISHI
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CARACTERÍSTICAS
a) Adoptar un nuevo chip IGBT planar de cuarta generación, cuyo rendimiento se mejora mediante un proceso de regla fina de 1 m. Por ejemplo, típico VCE(sat)=1.7V
b) Usando un nuevo diodo que está diseñado para obtener características de recuperación inversa suaves.
c) Mantener la compatibilidad del paquete. El diseño/posición de la clavija del terminal y del orificio de montaje es el mismo que el del IPM de tercera generación de la serie S.
�3�� 150A, 600V IGBT de detección de corriente para conmutación de 15kHz
50 A, 600 V Freno regenerativo con detección de corriente IGBT
��� Unidad de puerta monolítica y lógica de protección
��� Circuitos de detección, protección e indicación de estado para sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura y bajo voltaje (P-Fo disponible en dispositivos de la parte superior de la pierna)
��� Aplicación de inversor de clase 15/18.5kW sin ruido acústico
a) Adoptar un nuevo chip IGBT planar de cuarta generación, cuyo rendimiento se mejora mediante un proceso de regla fina de 1 m. Por ejemplo, típico VCE(sat)=1.7V
b) Usando un nuevo diodo que está diseñado para obtener características de recuperación inversa suaves.
c) Mantener la compatibilidad del paquete. El diseño/posición de la clavija del terminal y del orificio de montaje es el mismo que el del IPM de tercera generación de la serie S.
�3�� 150A, 600V IGBT de detección de corriente para conmutación de 15kHz
50 A, 600 V Freno regenerativo con detección de corriente IGBT
��� Unidad de puerta monolítica y lógica de protección
��� Circuitos de detección, protección e indicación de estado para sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura y bajo voltaje (P-Fo disponible en dispositivos de la parte superior de la pierna)
��� Aplicación de inversor de clase 15/18.5kW sin ruido acústico